Ret. Shockley 
 
 
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William Shockley

Londres 1910 – Stanford 1989

   


    
Signes  biographiques
   


 


Il étudia à la Californie Institute of Technology et au Massachusetts Institute of Tecnology, où il déroula même de l'activité de professeur. En 1936 il passa aux laboratoires de l'industrie téléphonique Bell, où il se dédia à étudie des propriétés des demi-conducteurs dans la perspectif de réussiront à obtenir, à travers ceux-ci, un effet d'amplification du courant électrique. Shockley, qui travaillait en collaboration avec W. H. Brattain et J. Bardeen, réussit effectivement à atteindre ce balai avec la construction du dispositif remarque aujourd'hui comme transistor, dans lequel adresse disposition d'impuretés donateurs et réceptrices d'électrons permettait d'exploiter au mieux la propriété des demi-conducteurs. À un prototype, dicton transistor à point de je contacte, Shockley et des collègues firent suivre plus perfectionné transistor à jonction, destiné à avoir des innombrable et à des fondamentales applications. Shokley eut beaucoup de reconnaissances et en 1956 partagées avec Bardeen le Prix Noble pour la physique merci, note, à le sien dernière invention.


 


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BREVET   USA 2502488    Semiconductor amplifier   avril 1950
 

W. Shockely Transistor technology  evokes new physics -Noble Lecture 11 décembre 1956